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MAX232CWE

IRF7831

型号：IRF7831
生产商：IR
数量：5000
批号：17+
封装：SOP
规格书PDF：

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产品详情

一般信息

数据列表	IRF7831PbF;
标准包装	4,000
包装	标准卷带
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	HEXFET®
其它名称	IRF7831PBFTR SP001563658

规格

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	21A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	60nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6240pF @ 15V
Vgs（最大值）	±12V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	3.6 毫欧 @ 20A，10V
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	8-SO
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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