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STP170N8F

  • 型号:STP170N8F
  • 生产商:ST
  • 数量:10000
  • 批号:17+
  • 封装:TO-220
  • 规格书PDF:数据文档
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一般信息
数据列表 STP170N8F7;
标准包装  50
包装   管件 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 STripFET™ F7
其它名称 497-16008-5 
STP170N8F7-ND 

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8710pF @ 40V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 60A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

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