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MAX232CWE

IRFR120NTRPBF

  • 型号：IRFR120NTRPBF
  • 生产商：IR
  • 数量：25000
  • 批号：17+
  • 封装：SOT-252
  • 规格书PDF：数据文档
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产品详情

 

一般信息
数据列表 IRFR/U120NPbF;
标准包装   2,000
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRFR120NPBFTR 
IRFR120NTRPBF-ND 
IRFR120NTRPBFTR-ND 
SP001566944 

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 330pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 48W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 210 毫欧 @ 5.6A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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