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MAX232CWE

STS1NK60Z

  • 型号：STS1NK60Z
  • 生产商：ST
  • 数量：15000
  • 批号：17+
  • 封装：SOT223
  • 规格书PDF：数据文档
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产品详情

 

一般信息
数据列表 STS1NK60Z;
标准包装   2,500
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 SuperMESH™
其它名称 497-12798-2 
STS1NK60Z-ND 

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 250mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 94pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 15 欧姆 @ 400mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽
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