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MAX232CWE

FQPF6N60C

  • 型号：FQPF6N60C
  • 生产商：FAIR-RIT
  • 数量：15000
  • 批号：17+
  • 封装：TO-220
  • 规格书PDF：数据文档
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产品详情

 

数据列表
FQP(F)6N60C;
标准包装  
50
包装  
管件 
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列
QFET®

规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.5A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
810pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2 欧姆 @ 2.75A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
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