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IRLR2905TRPBF

  • 型号:IRLR2905TRPBF
  • 生产商:IR
  • 数量:16850
  • 批号:17+
  • 封装:1519+
  • 规格书PDF:数据文档
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一般信息
数据列表 IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF;
标准包装   2,000
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRLR2905ZTRPBF-ND 
IRLR2905ZTRPBFTR 
SP001574018 

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1570pF @ 25V
Vgs(最大值) ±16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 13.5 毫欧 @ 36A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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